Ústav fyzikální chemie J. Heyrovského AV ČR (ÚFCH JH) uspěl v rámci programu ERC CZ s projektem Dr. Martina Kalbáče "Od grafenových hybridních nanostruktur k ekologické elektronice", který je jedním ze tří projektů doporučených k financování. Výzkum týmu Dr. Kalbáče bude v letech 2013-2018 (celkem 60 měsíců) finančně podpořen částkou 39 milionů korun. Celková účelová dotace 116,4 milionu Kč podpoří vedle jeho výzkumu i další dva úspěšné projekty: "Vyhledávání vizuálních kategorií ve velkém množství obrázků" řešitele docenta O. Chluma z ČVUT v Praze (31,9 mil. Kč), a "Hmotnostní spektrometrie při hledání lipidových biomarkerů pro včasnou diagnostiku rakoviny" řešitele profesora M. Holčapka z Univerzity Pardubice (45,5 mil. Kč).
Program ERC CZ Ministerstva školství, mládeže a tělovýchovy ČR (MŠMT) navazuje na program „Myšlenky“ vyhlašovaný Evropskou výzkumnou radou (ERC, European Research Council), který stimuluje vysoce kvalitní vědeckou činnost v Evropě prostřednictvím podpory nejlepších a nejkreativnějších vědců, akademických a technických odborníků ze všech oblastí výzkumu. MŠMT podporuje zejména projekty, které byly ve výběrových řízeních organizovaných ERC ohodnoceny jako vysoce kvalitní, ale z důvodu nedostatku evropských prostředků nemohly být financovány přímo z rozpočtu ERC. V loňském roce, kdy proběhlo 1. kolo programu ERC CZ, bylo k podpoře 167 miliony Kč vybráno 5 projektů, z nichž dva byly z pracovišť AV ČR.
Cílem oceněného projektu Martina Kalbáče je výzkum nových principů pro vývoj elektronických zařízení s nízkou spotřebou elektrické energie, tedy vývoj transistoru BISFET (Bilayer pseudoSpin Field Effect Transistor) využívajícího unikátních vlastností uhlíkových nanostruktur. Tento koncept je založen na speciálních vlastnostech materiálu složeného ze dvou slabě interagujících grafenových vrstev. Obrovskou výhodou tohoto transistoru je až 1000x nižší spotřeba elektrické energie, než je tomu u klasických transistorů.
Navrhovaný přístup vedoucí k inovační technologii je založen na využití grafenových vrstev a zejména grafenových sendvičů, materiálů reprezentujících novou třídu nanomateriálů založených na grafenu. Příprava sendviče spočívá v umístění monovrstvy aktivního materiálu mezi dvě vrstvy grafenu. Očekávaným výsledkem bude objasnění mechanismu přenosu náboje z grafenu na vmezeřené materiály, což umožní ladění stupně nabití jednotlivých grafenových vrstev. Různý náboj těchto vrstev je důležitým předpokladem pro konstrukci transistoru BISFET.
Dnešní společnost podmiňuje svůj další rozvoj právě rozvojem elektroniky. Využití elektronických přístrojů v posledních desetiletích dramaticky roste, což s sebou nese řadu problémů. Jedním z nich je velké množství energie, jež tato zařízení spotřebují a z velké části přemění na neužitečné teplo. Vzrůstající pozornost se proto upírá k vývoji systémů, které mají nízkou spotřebu energie a neprodukují odpadní teplo. Úspěšná realizace transistoru BISFET by tak měla velmi silný vliv na rozvoj elektronického průmyslu, a byla by i nezanedbatelným příspěvkem k ochraně životního prostředí.
zdroj: tisková zpráva AVČR